Если интересует больше интересных материалов, рекомендуем посетить интересный информационный портал – http://imaxin.ru где вы найдете массу полезный статей на абсолютно разные темы от бизнеса до развлечений.
Тиристоры – это приборы с тремя p-n-переходами. Если к прибору приложить напряжение, то переходы будут находиться под прямым напряжением, а переход под обратным. Ток через прибор в этом случае будет небольшой, так как имеется запорный слой. Однако если па так называемый управляющий электрод, связанный с внутренним слоем п, подать отрицательное напряжение (импульс), то этот слой отпирается и ток через прибор резко увеличивается. Вернуть прибор в исходное положение можно теперь только путем снятия напряжения с основных электродов. Таким образом, тиристор ведет себя как тиратрон, отсюда и название прибора. Если у тиристора управляющий электрод подключен к слою p, то управляющий импульс должен быть положительным. Мощность импульса управления у тиристоров в миллионы раз меньше, чем мощность, переключаемая ими, которая может достигать единиц мегаватт.
Читать полностью »
Специальные диоды в отличие от выпрямительных предназначены для более узких целей. Здесь будут рассмотрены лишь некоторые из таких приборов: опорные диоды, тиристоры, варикапы.
Опорные диоды предназначены для стабилизации низких напряжений и являются своего рода полупроводниковыми стабилитронами. Как известно, полупроводниковые приборы работают при сравнительно небольших напряжениях (3-20 В), поэтому обычные ионные стабилитроны, потенциал зажигания которых примерно 70-100 В, не могут быть использованы в полупроводниковых схемах. В то же время левая часть характеристики полупроводникового диода во многом напоминает характеристику стабилитрона и, следовательно, в принципе полупроводниковому диоду можно задать режим стабилитрона. Однако рабочий режим стабилитрона устанавливается после пробоя р-n-перехода.
Следовательно, обычный диод здесь непригоден, поскольку в результате пробоя теряет вентильные свойства. Значит, необходим такой прибор, р-n-переход которого мог бы полностью восстанавливать свои свойства после каждого выключения схемы.
Промышленность выпускает полупроводниковые стабилитроны КС-133А, КС-147А, КС-168А мощностью 300 мВт, рассчитанные на напряжение стабилизации 3,3; 4,7 и 6,8 В соответственно, а также стабилитроны КС-920, КС-950 и КС-980 мощностью 5 Вт и напряжением стабилизации 120, 150 и 180 В.
Точечные диоды предназначены для выпрямления токов высокой частоты (в детекторах, смесителях и т п.). У этих диодов резко снижена емкость перехода, поскольку если она велика, то в области высоких частот (при обратных напряжениях) сопротивление прибора переменному току уменьшается, и он теряет вентильные свойства.
В точечном диоде кристалл 1 (кремний или германий) укреплен в держателе 3, к которому приварен вывод 6. В кристалл упирается контактная пружинная игла 2, выполненная из тантала с ниобием или платины с родием. Чтобы контакт между кристаллом и острием иглы был надежным, а его площадь оставалась небольшой (точечной), через диод при его изготовлении пропускают импульс тока, и острие иглы приваривается к кристаллу. Другой конец контактной пружины соединен с выводом 5. Необходимую жесткость всей конструкции придает керамическая или стеклянная трубка-баллон 4.
Точечные диоды рассчитаны на прямые токи порядка нескольких десятков миллиампер и небольшие прямые и обратные напряжения. Емкость перехода у них составляет всего единицы пикофарад.
Теорию выращивания вешенок можно почитать на сайте inet-life.ru.
Эра полупроводниковых приборов началась с массового применения полупроводниковых диодов, потому что техника прежде всего обратилась именно к свойству односторонней проводимости p-n-перехода и стала использовать эти кристаллы в выпрямительных устройствах.
К основным параметрам выпрямительных диодов относят: падение напряжения при определенном прямом токе, обратный ток при определенном обратном напр5щении, пробивное обратное напряжение, емкость при определенном обратном напряжении, допустимый прямой ток, диапазон рабочих температур, граничную частоту переменного тока, при которой выпрямленный ток уменьшается на 30% по отношению к номинальному. Лучшим из двух диодов следует считать такой, у которого при одинаковых токах меньше падение напряжения, обратный ток и емкость, больше пробивное напряжение, шире диапазон рабочих температур, выше граничная частота. Читать полностью »
Исключительно важные свойства полупроводников, предопределившие их чрезвычайно широкое применение, проявляются в пограничной области, вернее в очень узком слое вещества между двумя частями полупроводника, обладающими проводимостями различных видов. Этот слой получил название электронно-дырочного перехода или сокращенно р-n-перехода. Определяющее свойство р-n-перехода – его односторонняя проводимость.
Упрощенно механизм односторонней проводимости можно объяснить следующим образом, рисунок ниже:
Так как в области р с дырочной проводимостью подвижных электронов значительно меньше, чем в области п с электронной проводимостью, то электроны из n-слоя начинают переходить в р-слой (у их границы), а дырки в то же время будут двигаться в обратном направлении. При этом электрическая нейтральность каждой области окажется нарушенной. В пограничном слое с проводимостью типа а образуется положительный объемный заряд, а в р-области, то есть по другую сторону границы,— отрицательный. Таким образом, в тонком слое полупроводника у границы раздела р- и n-областей образуются две зоны объемных разноименных электрических зарядов. Этот слой и представляет собой собственно р-n-переход. Естественно, возникновение разноименных зарядов влечет за собой появление электрического поля. Это поле препятствует проникновению электронов в р-область, а дырок в «-область, причем настолько эффективно, что лишь отдельные электроны и дырки, обладающие повышенной энергией, могут преодолевать его тормозящее действие. Наступает стабильное состояние р-n-перехода.
Читать полностью »
