Термисторы — это полупроводниковые сопротивления.

Термисторы (терморезисторы) имеют отрицательный температурный коэффициент, то есть при увеличении температуры их сопротивление уменьшается. Термисторы применяют для температурной компенсации в радиосхемах, для измерения температуры на расстоянии (болометрия), для измерения мощности сигналов на сверхвысоких частотах, в инфракрасной технике, в различных релейных схемах и т. п. Основные типы термисторов: ММТ-1, ММТ-4, ММТ-6, КМТ-1, КМТ-4, КМТ-10, КМТ-11 (ММТ — медномарганцевый, а КМТ — кобальтомарганцевый термистор).

Фотодиоды и фототриоды — это полупроводниковые приборы, обладающие свойством фотопроводимости. Они, как и фоторезисторы, применяются в схемах автоматики, по имеют более высокую чувствительность.

Фотодиод в целом устроен подобно фоторезистору. К его p-n-переходу приложено напряжение обратной полярности. В такой цепи, если диод не освещен, протекает небольшой обратный ток, как и у обычного запертого полупроводникового диода. Этот ток называется темновым. Если теперь переход осветить, то, поскольку его сопротивление уменьшится, ток резко возрастет. Сила тока зависит от напряжения Е, сопротивления нагрузки и светового потока. Таким образом, фотодиод ведет себя как фоторезистор, однако чувствительность его значительно выше, что позволяет использовать этот прибор при очень низких уровнях освещенности. Фотодиоды изготавливают из германия (темновой ток больше 10 мкА) и из кремния (темновой ток до 1 мкА). Чувствительность фотодиодов примерно 30 мА/лм. Это означает, что при изменении светового потока на один люмен ток через фотодиод изменится на 30 мА.

Фототриод имеет два p-n-перехода, и его чувствительность выше, чем у фотодиода, однако больше и темновой ток (сотни микроампер).

Термоэлектрогенераторы занимают особое место среди полупроводниковых приборов. В этих устройствах проис­ходит превращение тепловой энергии в электрическую (и наоборот). Вкратце принцип действия термоэлектрогене­ратора заключается в следующем. Если брусок полупро­водника нагревать только с одной стороны, то носители зарядов (электроны или дырки) будут диффундировать (перемещаться) к холодному концу. Таким образом, на одном конце полупроводника образуется избыток положи­тельных зарядов, а на другом — отрицательных. Возни­кает разность потенциалов.

Полупроводник становится источником электродвижущей силы, причем если он типа p (дырочная проводимость), то горячий конец его заряжается отрицательно, а холодный положительно (у полупроводника типа n, напротив, горячий конец заряжается положи­тельно, а холодный отрицательно). Э. д. с. зависит от типа полупроводника и для одного элемента составляет в луч­шем случае 1,5 мВ на ГС. Обычно применяют смешанное соединение элементов, чтобы значения тока и напряжения были достаточными. Мощность современных термоэлектро­генераторов достигает 5 кВт.

Добротность контура представляет собой отношение, то есть она показывает во сколько раз волновое сопротивление контура больше сопротивления потерь (активного сопротивления).
Диапазон значений добротности применяемых в радиотехнике контуров весьма широк: от десятков до нескольких сотен. У контуров среднего качества добротность 50-200, у контуров хорошего качества 200—500, а у контуров отличного качества добротность превышает 500.
Величину, обратную добротности, называют затуханием контура. Чем больше этот параметр, тем быстрее затухают свободные колебания в контуре. Читать полностью »

Из весьма разнообразных полупроводниковых диодов и триодов здесь рассмотрены только фоторезисторы, фотодиоды, фототриоды, терморезисторы, варисторы и термоэлектрогенераторы.

Фоторезисторы широко применяются в качестве датчиков в таких схемах автоматического регулирования, где управляющим сигналом является световой поток или его изменение. Конструктивно фоторезистор обычно представляет собой полупроводник, укрепленный на стеклянной подложке 1 и заключенный в пластмассовый корпус. К краям полупроводника прикреплены металлические контакты, а его центральная часть расположена под окном, имеющимся в корпусе. Принцип действия прибора состоит в том, что при освещении сопротивление фоторезистора изменяется (уменьшается). Пределы изменения сопротивления зависят от типа полупроводника, интенсивности (яркости) освещения и спектрального состава света. Отношение темпового сопротивления фоторезистора (то есть его сопротивления в темноте) к световому сопротивлению достигнет Ю6 (и может быть выше).

Фоторезисторы используют в различных релейных схемах (например, где необходимо с помощью луча включать или выключать различные устройства, вести автоматический счет деталей и т. п.). Из-за сравнительно большой инерционности в быстродействующих схемах фоторезнсторы не применяют.

Промышленность выпускает фоторезисторы типов ФС-АО, ФС-А1, ФС-АГ и др. (полупроводник — сернистый свинец), ФСК-М1, ФСК-М2 и др. (полупроводник — сернистый кадмий). Их темновое сопротивление составляет обычно сотни и тысячи мегом, а темновой ток — доли микроампер.

 

Страница 2 из 812345...Последняя »

© 2010 Основы электроники и связи | Карта сайта
Полное или частичное копирование материалов разрешено при размещении активной гиперссылки на сайт