Эра полупроводниковых приборов началась с массового применения полупроводниковых диодов, потому что тех­ника прежде всего обратилась именно к свойству односто­ронней проводимости p-n-перехода и стала использовать эти кристаллы в выпрямительных устройствах.

К основным параметрам выпрямительных диодов от­носят: падение напряжения при определенном прямом токе, обратный ток при определенном обратном напр5щении, пробивное обратное напряжение, емкость при определенном обратном напряжении, допустимый прямой ток, диапазон рабочих температур, граничную частоту переменного тока, при которой выпрямленный ток уменьшается на 30% по отношению к номинальному. Лучшим из двух диодов следует считать такой, у которого при одинаковых токах меньше падение напряжения, обратный ток и емкость, больше пробивное напряжение, шире диапазон рабочих температур, выше граничная частота. Читать полностью »

Исключительно важные свойства полупроводников, пред­определившие их чрезвычайно широкое применение, про­являются в пограничной области, вернее в очень узком слое вещества между двумя частями полупроводника, обладаю­щими проводимостями различных видов. Этот слой полу­чил название электронно-дырочного перехода или сокра­щенно р-n-перехода. Определяющее свойство р-n-пере­хода — его односторонняя проводимость.

Упрощенно механизм односторонней проводимости можно объяснить следующим образом, рисунок ниже:

p-n-perehod

Так как в области р с дырочной проводимостью подвижных электронов значительно меньше, чем в области п с элект­ронной проводимостью, то электроны из n-слоя начинают переходить в р-слой (у их границы), а дырки в то же время будут двигаться в обратном направлении. При этом элект­рическая нейтральность каждой области окажется нару­шенной. В пограничном слое с проводимостью типа а образуется положительный объемный заряд, а в р-области, то есть по другую сторону границы,— отрицательный. Таким образом, в тонком слое полупроводника у границы раздела р- и n-областей образуются две зоны объемных разноименных электрических зарядов. Этот слой и пред­ставляет собой собственно р-n-переход. Естественно, возникновение разноименных зарядов влечет за собой появле­ние электрического поля. Это поле препятствует проник­новению электронов в р-область, а дырок в «-область, причем настолько эффективно, что лишь отдельные элект­роны и дырки, обладающие повышенной энергией, могут преодолевать его тормозящее действие. Наступает стабиль­ное состояние р-n-перехода.

Читать полностью »

К полупроводникам относят большую группу твердых веществ, которые по своим электрическим свойствам (по количеству свободных электронов, а значит, и по электри­ческому сопротивлению) занимают среди твердых тел промежуточное положение между проводниками и изоля­торами. Действительно, удельное сопротивление металлов составляет 10-2-10-4Ом·м, изоляторов 1012-1020 Ом·м, а удельное сопротивление полупроводников располагается в диапазоне 1012-10-2Ом·м. И если в рассмотренных ранее электронных приборах электрические заряды движутся в вакууме или в газе, то в полупроводниковых приборах они перемещаются в твердом теле, в кристаллах. Из боль­шого числа разнообразных полупроводниковых веществ в радиотехнике наибольшее распространение получили гер­маний и кремний, электрические свойства которых почти одинаковы.

Электрические свойства полупроводников зависят от связей между атомами кристалла и от связей электронов с ядрами атомов. В полупроводниках эти связи весьма сильные, и поэтому свободных электронов у них очень мало. Однако можно искусственно разорвать некоторые из этих связей.

Читать полностью »

ионные разрядники

а — ионный разрядник типа РА; б — ионный разрядник типа РБ; в — условное обозначение на схемах.

Искровой разрядник — самый распространенный пред­ставитель ионных приборов, использующих искровой раз­ряд. В стеклянном баллоне 2 искрового разрядника расположены два электрода 1, соединенные с выводными контактами 3. Баллон заполнен инертным газом (обычно это криптон), но в отличие от приборов тлею­щего или дугового разряда давление газа здесь выше. Такие разрядники предназначены для защиты линий связи, антенных устройств, схем и приборов от грозовых разрядов и других видов кратковременных перенапряжений.

Читать полностью »

тиратрон

а — тиратрон; б — условное обозначение на схемах

Тиратрон с подогревным катодом представляет собой трехэлектродный ионный прибор дугового разряда. Его составные части: баллон 4, катод 7, анод 3, сетка 2. Как и в тиратроне с холодным катодом, сетка здесь предназначена для запуска прибора, в данном случае для образования дугового разряда. Тиратроны с подогревным катодом применяются главным образом для выпрямления переменного тока, причем благодаря наличию сетки именно в выпрямительных устройствах с автоматическим управле­нием, где выпрямитель включается без непосредственного участия человека, при определенных, заданных значениях напряжения в цепи запуска. Анод 3 и катод 1 рассматри­ваемого тиратрона в целом такие же, как в газотроне, а сетка 3 аналогична сетке в тиратроне с холодным катодом. В тиратронах некоторых типов катод и анод окружены экраном, чтобы разряд не возникал обходным путем, ми­нуя сетку.

Читать полностью »

 

Страница 4 из 8« Первая...23456...Последняя »

© 2010 Основы электроники и связи | Карта сайта
Полное или частичное копирование материалов разрешено при размещении активной гиперссылки на сайт