Полупроводниковые триоды широко применяются в радиоэлектронике. Полупроводниковый триод, или транзистор, представляет собой кристалл с двумя p-n-переходами, то есть с тремя слоями областей разного типа проводимости.
Порядок расположения областей p-n-p или n-p-n в принципе не влияет на работу прибора, однако полярность подключаемых напряжений у триодов типа p-n-p противоположна полярности напряжений, подаваемых на триоды типа n-p-n.
Рассмотрим принцип действия и устройство полупроводникового триода типа p-n-p. В левой области повы-шена концентрация примесей и, следовательно, увеличена концентрация основных носителей (в данном случае дырок), которые играют решающую роль в работе прибора. Эту область называют эмиттером. Правая область, где концентрация примесей и основных носителей значительно меньше, получила название коллектор а. Средняя область называется б а з о й. Носителями зарядов в этой области для триода типа p-n-p являются дырки, которые диффундируют (проникают) из эмиттера, так как к нему подключено положительное напряжение.
Когда к коллекторному переходу приложено обратное напряжение, то в коллекторной цепи возникнет лишь небольшой обратный ток. Если в это же время на эмиттерный переход подать прямое напряжение, то, во-первых, в эмиттерной цепи возникает ток изменяющийся в соответствии с изменением напряжения входного сигнала, и, во-вторых, обратный ток в коллекторном переходе заметно увеличится. Кроме того, этот ток тоже будет изменяться в соответствии с изменением напряжения Ес.
Влияние эмнттерного тока на коллекторный объясняется тем, что оба p-n-перехода расположены так близко один от другого, что носители, пройдя эмиттерный переход, попадают под влияние кол¬лекторного перехода. Большая часть из них преодолевает его, тем более что в коллекторе низка концентрация носителей данного типа, да и приложенное к нему напряжение (обратной полярности) способствует такому «дрейфу» носителей.
Благодаря описанному явлению триод обладает свойством усиления входного сигнала. Это объясняется тем, что в цепь коллектора включается большое сопротивление нагрузки на котором даже при относительно малом коллекторном токе выделяется сравнительно большое на¬пряжение сигнала. Значения тока и напряжения таковы, что мощность в нагрузке больше мощности входного сигнала.