Из весьма разнообразных полупроводниковых диодов и триодов здесь рассмотрены только фоторезисторы, фотодиоды, фототриоды, терморезисторы, варисторы и термоэлектрогенераторы.

Фоторезисторы широко применяются в качестве датчиков в таких схемах автоматического регулирования, где управляющим сигналом является световой поток или его изменение. Конструктивно фоторезистор обычно представляет собой полупроводник, укрепленный на стеклянной подложке 1 и заключенный в пластмассовый корпус. К краям полупроводника прикреплены металлические контакты, а его центральная часть расположена под окном, имеющимся в корпусе. Принцип действия прибора состоит в том, что при освещении сопротивление фоторезистора изменяется (уменьшается). Пределы изменения сопротивления зависят от типа полупроводника, интенсивности (яркости) освещения и спектрального состава света. Отношение темпового сопротивления фоторезистора (то есть его сопротивления в темноте) к световому сопротивлению достигнет Ю6 (и может быть выше).

Фоторезисторы используют в различных релейных схемах (например, где необходимо с помощью луча включать или выключать различные устройства, вести автоматический счет деталей и т. п.). Из-за сравнительно большой инерционности в быстродействующих схемах фоторезнсторы не применяют.

Промышленность выпускает фоторезисторы типов ФС-АО, ФС-А1, ФС-АГ и др. (полупроводник — сернистый свинец), ФСК-М1, ФСК-М2 и др. (полупроводник — сернистый кадмий). Их темновое сопротивление составляет обычно сотни и тысячи мегом, а темновой ток — доли микроампер.